磁控溅射等离子体行为对TCO薄膜结构性能影响机理

项目名称： 磁控溅射等离子体行为对TCO薄膜结构性能影响机理

项目编号： No.51172101

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无机非金属材料学科

项目作者： 周艳文

作者单位： 辽宁科技大学

项目金额： 63万元

中文摘要： 磁控溅射制备透明导电氧化物（TCO）薄膜有着等离子体稳定、薄膜与机体结合力好、操作简便优点，但TCO薄膜的性能对溅射工艺参数十分敏感。磁控溅射驱动电源是关键工艺参数之一，它能过影响溅射等离子体行为特征，直接影响TCO薄膜性能。如射频驱动电源的使用，可大大增加电子与原子碰撞机率，因而提高等离子体离子化密度，但溅射速率低；脉冲直流驱动产生的溅射等离子体能量较高，溅射速率快，操作简便。对于TCO，射频比脉冲直流溅射制备的薄膜导电性更好。为回答磁控溅射的等离子体行为如影响薄膜性能这一问题，拟对射频及脉冲直流驱动下的磁控溅射等离子体行为模拟计算，并制备TCO薄膜，研究等离子体行为对TCO薄膜结构性能影响规律。另外，联合射频及脉冲直流，在高等离子体密度下高效制备TCO薄膜，是改进磁控溅射工艺的一个新思路。本课题也将通过模拟计算及薄膜制备明确联合驱动下等离子体行为对薄膜结构性能影响机理。

中文关键词： 脉冲磁控溅射；射频磁控溅射；等离子体；透明导电氧化物薄膜；石墨烯

英文摘要：

英文关键词： Pulsed DC magnetron sputtering；RF magnetron sputtering；plasma；transparent conductive oxide film；graphene