B与H离子共注入剥离SiC晶体波导特性的研究

项目名称： B与H离子共注入剥离SiC晶体波导特性的研究

项目编号： No.11505105

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2016

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 管婧

作者单位： 山东大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 利用H离子注入SiC晶体剥离方法制备光波导可以获得接近于单晶的SiC波导层结构。B离子预注入引入的空位缺陷可以促进H复合体的产生，退火过程中B离子的吸附效应有助于H复合体转化为H2微泡，可以有效降低降低H注入剂量和退火剥离温度。本项目主要对B、H离子共注入SiC晶体剥离过程展开研究，利用RBS/Channeling、红外吸收谱、拉曼散射谱等表征技术，分析B离子注入参数对于形成H复合体种类及比例的影响，探讨B离子促进H复合体微泡转化的物理机制，结合晶片键合工艺在SiO2层上制备剥离后的SiC光波导结构，为注入掺杂促进双元素晶体离子束剥离的理论研究提供实验依据。

中文关键词： 光波导；离子剥离；碳化硅

英文摘要： SiC crystal waveguide fabricated by H ions slicing could keep crystal structure in waveguide region. Pre-implanted B ions created vacancies that promote the H complexes formation and they help the H- transfer from complexes to blistering. B doping could decrease the minimum implantation dose and annealing temperature in H ion slicing. We will investigate the B and H ion co-implantation slicing in SiC crystals. RBS/Channeling, infrared absorption spectroscopy and Raman scattering spectroscopy testing will be applied. We will analyze the relationship between complexes’ categories and ratio of the B implantation parameter. The mechanism of B ions catalyzing H transferring from complexes to blistering will be investigated. We will fabricate ion-sliced SiC waveguide on SiO2 after wafer bonding and slicing process. The result will contribute to the theoretical research on ion slicing promotion in double element crystal by ion doping.

英文关键词： waveguide ;ion slicing;SiC