项目名称: 放电等离子体烧结CaCu3Ti4O12陶瓷及其高介电行为研究
项目编号: No.51172166
项目类型: 面上项目
立项/批准年度: 2012
项目学科: 无机非金属材料学科
项目作者: 熊锐
作者单位: 武汉大学
项目金额: 60万元
中文摘要: CaCu3Ti4O12(CCTO)是一种钙钛矿结构的高介电材料,探讨CCTO陶瓷高介电性的本质,对于CCTO基微电子器件的可控制备及应用具有重要意义。本项目采用溶胶-凝胶法、高能球磨法等制备系列CCTO基纳米粒子,创新性地采用放电等离子体烧结技术制备单相、致密的CCTO基纳米陶瓷,通过不同时间下的退火制备晶粒尺寸不同的CCTO多晶样品。考察CCTO陶瓷生长过程中晶粒和界面的相结构、化学成分、势垒层厚度分布以及电子态等随烧结温度、烧结时间、成分等的演化规律,探索晶粒半导性、晶界绝缘性的本质,系统考察晶粒尺寸、晶粒和界面的物相和微结构、氧缺失、电荷转移、反位替代及局域无序等因素对CCTO介电特性的影响,阐明CCTO陶瓷中晶粒和晶界的基本特征、电荷转移机制、输运动力学规律以及CCTO陶瓷介电弛豫的物理机制,揭示CCTO高介电性的本质。
中文关键词: CaCu3Ti4O12陶瓷;放电等离子体烧结;介电效应;晶粒;晶界
英文摘要:
英文关键词: CaCu3Ti4O12;spark plasma sintering technique;dielectric response;grain;grain boundary