一维InGaO3(ZnO)m异质超晶格纳米结构的可控合成及其场效应晶体管

项目名称： 一维InGaO3(ZnO)m异质超晶格纳米结构的可控合成及其场效应晶体管

项目编号： No.51172058

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无机非金属材料学科

项目作者： 张喜田

作者单位： 哈尔滨师范大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 本课题拟采用脉冲激光沉积技术制备具有高迁移率的四元化合物InGaO3(ZnO)m（IGZO）一维异质超晶格纳米结构，实现形貌、尺寸和成分（或m值）可控；通过粉末x射线衍射，应用Rietveld 精修方法,结合高分辨透射电子显微镜技术，研究所制备的纳米材料的晶体结构；利用光谱方法,研究超晶格取向和组分对光学性质的影响；制作场效应晶体管,研究导电性质与超晶格取向和组分的关系；通过测量变温I-V曲线, 研究IGZO异质超晶格纳米材料导电的物理机制；优化器件工艺，制作高迁移率的IGZO场效应晶体管；利用第一性原理计算IGZO超晶格的电子态密度、能带结构及声子谱，模拟实验数据，从原子水平上揭示IGZO超晶格纳米结构的导电性质的微观物理机制。本课题不仅为实现IGZO材料的设计、合成和应用提供科学依据，而且对深入研究透明电路及研制场效应晶体管具有重要的理论和实际应用意义。

中文关键词： 纳米材料；超晶格；场效应晶体管；光致发光；场发射

英文摘要：

英文关键词： nanomaterials；superlattice；field effect transistor；photoluminescence；field emission