双频调制等离子体和双离子束制备复合铪基高k薄膜机理及物理特性

项目名称： 双频调制等离子体和双离子束制备复合铪基高k薄膜机理及物理特性

项目编号： No.10975106

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 吴雪梅

作者单位： 苏州大学

项目金额： 47万元

中文摘要： 本项目将围绕极大规模集成电路用高k关键材料，分别采用双频调制等离子体和双离子束技术开展在传统硅衬底和新型半导体基（GaAs，Ge，SiGe, SOI, GeOI等）上用的复合铪基HfMxOy高k材料体系（掺杂元素M选择Ta、Zr、N和Si等）的研究，发展具有自主知识产权的高k材料制备新技术。本着材料制备、微结构表征、性能测试分析相结合的原则，通过调整制备工艺和参数，结合等离子体发射光谱和四极质谱监测，探求等离子体基团的种类、分布与薄膜生长物理化学过程、结构和性质的关联。通过分析样品中掺杂元素的分布、含量和成键类型等微结构重要信息，结合样品性能测试分析，实现对掺杂元素的调控和材料体系优化，揭示与掺杂元素有关的材料热稳定性、能带宽度和电学特性的作用机理。为最终制备出满足45-32nm以下技术节点CMOS应用的高k材料体系，为新型高k材料在集成电路中的应用，奠定坚实的材料和技术基础。

中文关键词： 双频等离子体；双离子束；铪基高k材料；结构表征；物理特性

英文摘要：

英文关键词： double frequencies plasma；dual ion beam；Hf-based high-K materials；structure；physical properties