量子隧穿SOI器件的隧道效应机理及模型研究

项目名称： 量子隧穿SOI器件的隧道效应机理及模型研究

项目编号： No.61404151

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 罗杰馨

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 24万元

中文摘要： SOI器件采用全介质隔离，能实现高速低功耗应用，由于PD SOI的浮体效应，导致SOI技术并未被广泛应用。项目申请人提出的量子隧穿SOI器件能有效抑制浮体效应：节省面积，不增加寄生效应，抑制浮体效应的效果适用于NMOS和PMOS，不受沟道宽度的限制，制作工艺与传统CMOS工艺完全兼容。本项目对量子隧穿SOI器件的隧道效应机理进行深入研究：①基于WKB（Wentzel-Kramers-Brilloui）假设，求解量子隧穿SOI器件源区隧道二极管隧穿电流；②结合MOS器件载流子输运理论，建立量子隧穿SOI器件的载流子输运理论；③建立统一的量子隧穿SOI器件SPICE模型，利用测试数据，验证器件量子隧穿SOI器件SPICE模型；④实现量子隧穿SOI器件的工艺控制和优化。通过本项目的研究，旨在全面深入的掌握量子隧穿SOI器件的载流子输运理论，进一步发挥SOI技术优势。

中文关键词： 绝缘体上硅；部分耗尽；隧穿二极管；隧穿SOI器件；模型

英文摘要： Owing to the fully dielectric isolation, SOI technology is attractive features for the high-speed and low-power operation CMOSFET’s. Despite these advantages, SOI devices are not widely used by circuit or system designers. The main concern is the floating

英文关键词： Silicon-on-Insulator；Partially Depleted；Tunnel diode；Tunnel Diode Body Contact；SPICE model