硅基氧化层的光电复合结构与量子输运特征的研究

项目名称： 硅基氧化层的光电复合结构与量子输运特征的研究

项目编号： No.61674099

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2016

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 马忠权

作者单位： 上海大学

项目金额： 16万元

中文摘要： 本课题的核心内容是研究半导体异质结光电器件的钝化接触和量子输运问题。目标是获得低复合、低接触电阻、高效隧穿和稳定的硅基异质结氧化层，不仅能够有效传输光生少子，还可传输多子。从电荷嵌入、先进功能薄膜材料制备、表征实验和器件工艺技术三个方面，探索和研究掺杂ITO薄膜的半导体性质,以及ISO过渡层的电子结构、电接触特征。研究ITO/ISO/n-Si光电器件的量子（载流子）隧穿机理和有效反型层的分布，探索新材料的引入对改善器件光电转换性能、增强光电转换效率和器件稳定性能的作用。研究低温（<100K）下的量子隧穿现象。采用DFT-MD方法，计算非晶氧化物层的电子－空穴能带结构，提出量子输运模型，设计具有针对性的实验方法，优化材料的电子结构，为PV-型光电器件的新原理、新技术和高效转化，提供可靠的理论和实验依据。

中文关键词： 异质结光伏器件；选择性接触；量子隧穿；氧化物半导体；界面电子态测量

英文摘要： This project is centered to study the passivated contact of silicon-based oxide layer hetero-interface by which photovoltaic devices could be executed. Main objective is to achieve the versatile Si-oxide layers with a low recombination, low contact resist

英文关键词： heterojunction PV device；selective contact；quantum tunneling；oxide semiconductor；interface electronic state measurement