温度场分布对Spin-Seebeck效应的影响

项目名称： 温度场分布对Spin-Seebeck效应的影响

项目编号： No.11174231

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 孙志刚

作者单位： 武汉理工大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 自旋流的产生、探测、及操控是自旋电子学发展中的关键技术。Spin－Seebeck效应由于可以通过温度梯度产生无电荷电流的单纯自旋流而引起人们的关注。在Spin-Seebeck效应的研究中，仅仅局限于一维均匀、稳恒的温度梯度分布的研究远远满足不了该方向科学理论发展需求和器件化的实际要求。因此，对温度场分布研究关系到Spin-Seebeck效应器件的器件热电性能、响应时间、能量损耗、尺度效应、界面效应和机制等重要关键科学问题。本项目从原型器件出发，通过建立Spin-Seebeck效应器件的物理模型和温度场的数学模型，利用有限元等数值方法模拟器件中温度场分布及其变化规律，并对温度场模拟结果进行理论分析, 在该基础上，考虑自旋输运的Valet-Fert模型，推导出自旋电势与温度梯度变化规律，揭示影响Spin-Seebeck效应的关键因素,为制备高效能的Spin-Seebeck效应器件提供理论依据。

中文关键词： 自旋电子学；自旋塞贝克效应；自旋霍尔磁电阻；磁近邻效应；

英文摘要：

英文关键词： spintronics；spin-seebeck effect；spin hall magnetoresistance；magnetic promixy effect；