新型Al/α-C:H/α-Si:H/α-C:H/Al结构的反熔丝器件的制备及其界面相互作用研究

项目名称： 新型Al/α-C:H/α-Si:H/α-C:H/Al结构的反熔丝器件的制备及其界面相互作用研究

项目编号： No.61404021

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 李建军

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 反熔丝FPGA（现场可编程门阵列）是应用于航空航天电子系统的关键器件，但由于反熔丝器件存在熔断关断，在一定程度限制了在高可靠领域的应用。本项目引入不发生熔断关断的非晶碳作为过渡层介质，形成Al/α-C:H/α-Si:H/α-C:H/Al多层介质结构的反熔丝器件，避免了在电极与非晶硅接触/融合界面发生熔断关断。本项目采用PECVD连续制备α-C:H/α-Si:H/α-C:H介质，通过工艺优化精确控制薄膜氢含量、厚度与反熔丝击穿特性之间的关系；深入分析金属/介质以及介质/介质之间的界面态和界面相互作用，阐明界面效应对多层介质结构反熔丝击穿特性的作用机理和影响规律；并通过N(氮)等离子体对介质表面进行处理，研究改善界面特性从而控制反熔丝击穿特性的方法，建立界面缺陷态控制击穿性能的模型。本项目的研究，将为研制高性能和高可靠的反熔丝FPGA提供科学理论依据和技术支持，探索出新型反熔丝FPGA发展方向

中文关键词： 反熔丝；非晶硅；非晶碳；多层介质；介质击穿

英文摘要： Antifuse FPGA(Field Programmable Gate Array) is the key device in aerospace electronic systems. However, there is Switching Off happening in antifuse device, thus its application is constrained in the field of high reliability to a certain extent. In this

英文关键词： antifuse；amorphous silicon；amorphous carbon；multilayered dielectric；dielectric breakdown