高性能低功耗体硅器件与埋氧器件的集成整合技术研究

项目名称： 高性能低功耗体硅器件与埋氧器件的集成整合技术研究

项目编号： No.61404160

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 唐兆云

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 24万元

中文摘要： 高性能低功耗器件是应对当前和未来移动互联时代的必然选择。两大主流器件:鳍式三维器件FinFETs和埋氧器件ETSOI在性能与功耗方面比传统的平面体硅器件有着巨大的优越性。三维器件FinFETs使得栅极对沟道的控制能力加强，提高性能的同时，也抑制了短沟道效应。埋氧ETSOI采用氧化层隔离器件与背栅电压的控制的结合，一方面降低功耗，另一方面也控制了短沟道效应。在本研究中，具有埋氧层（SOI）的鳍式器件（FinFETs）新的形成方法被提出并研究，使得FinFETs与ETSOI的高性能与低功耗特性被集成到同一器件里。两种方法：侧墙转移氧化法和SiGe-Si叠层外延生长法被应用于集成埋氧层（SOI）的鳍式器件（FinFETs）的研究。器件埋氧层的形成机理，以及对器件可靠性，载流子分布，介质层的击穿，电学特性的提升被系统地研究，并提出了埋氧层（SOI）的鳍式器件（FinFETs）整体解决方法。

中文关键词： 体硅器件；埋氧器件；三维器件；；

英文摘要： High performance and low power devices are the main choices for the development of mobile internet. Two main stream devices like FinFETs and ETSOI are much more competitive comparing with traditional 2D bulk device. 3D FinFETs enhances the gate controllab

英文关键词： bulk device；SOI device；3D Device；；