新型低k介质埋层SOI功率器件耐压理论与新结构

项目名称： 新型低k介质埋层SOI功率器件耐压理论与新结构

项目编号： No.60976060

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 罗小蓉

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 42万元

中文摘要： 迄今，SOI功率器件均以SiO2为介质埋层，其低纵向耐压限制了应用；同时，已有耐压模型仅针对等厚埋氧层SOI器件；且无统一理论指导SOI高压器件纵向耐压设计。为此，项目进行如下创新研究：1.提出SOI高压器件介质场增强理论，获得其统一解析式和提高耐压的方法。该理论可对国际SOI高压器件的纵向耐压机理统一化，是设计SOI器件纵向耐压的普适理论；2.提出新型低k介质埋层SOI高压器件新结构。首次将低k且高临界击穿电场的介质引入SOI的埋层或部分埋层，利用低k介质增强埋层电场、变k介质对漂移区和埋层电场的调制作用使埋层电场从75-90V/μ#25552;高到150-200V/μ#65292;器件耐压提高50％；3. 建立耐压解析模型。模型首次考虑变k埋层对器件电场和耐压的影响。这是SOI高压技术发展的新方向。项目拟实验探索用作SOI埋层的、与Si CMOS工艺兼容的低k介质。项目的基础性和创新性工作有重要意义。

中文关键词： ENDIF；SOI；击穿电压；低k介质；解析模型

英文摘要：

英文关键词： ENDF；SOI；breakdown voltage；low K dielectric；analytical model