界面掺杂对FM/AFM薄膜性能影响的研究

项目名称： 界面掺杂对FM/AFM薄膜性能影响的研究

项目编号： No.50971021

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李明华

作者单位： 北京科技大学

项目金额： 30万元

中文摘要： 铁磁/反铁磁（FM/AFM）界面的交换偏置现象在磁性金属多层膜应用中起到关键作用。在FM/AFM界面的磁矩状态对于多层膜的磁学性能（如提高Hex，改善热稳定性等））影响至关重要，而界面磁结构很大程度上取决于界面的晶体结构和微结构。因此关于在FM/AFM界面如何控制微结构、调节界面未补偿磁矩的数量和状态，有必要做深入细致的研究。 本研究拟解决的科学性问题是： 如何进行材料设计，控制FM/AFM界面的微结构进而控制磁结构，提高多层膜的磁学性能。 为了解决上述科学问题，我们提出在FM/AFM界面上，插入适当厚度的插层，并在AFM层靠近界面的部分引入掺杂层（Pt和 Pd），调节界面未补偿磁矩的数量和状态，提高多层膜的磁学性能，制备出性能优异的FM/AFM薄膜材料。

中文关键词： 交换偏置；铁磁/反铁磁（FM/AFM）；未补偿磁矩；界面掺杂；微结构

英文摘要：

英文关键词： Exchinging bias；ferromagnetic/antiferromagneti；uncompensated magnetic moment；interface doping；microstructure