高迁移率III/V-OI新型材料探索研究

项目名称： 高迁移率III/V-OI新型材料探索研究

项目编号： No.61176001

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 狄增峰

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 62万元

中文摘要： 相比传统的硅材料，III/V族材料具有极高的电子迁移率。III/V－OI材料既具有高载流子迁移率，又具有普通SOI结构具有的高速低功耗的优势，因此被认为是微电子技术发展到16nm节点及以下技术的新型衬底材料。另外，III/V族材料为直接带隙材料，能够解决有源光电器件的问题，将有希望应用于硅基光电子集成领域。本项目主要通过两种技术途径研制III/V-OI材料：（1）离子剥离技术；（2）外延生长技术。离子剥离技术研制III/V-OI材料，着重研究氢离子或者氢氦离子共注实现III/V材料薄膜转移的物理机制，同时探索适合III/V族材料键合的工艺参数。外延生长技术研制III/V-OI材料，着重探索单晶Ge或者绝缘体上的Ge上外延GaAs薄膜的生长技术。III/V-OI材料的成功研制将为未来微电子，光电子提供高端SOI基衬底材料。

中文关键词： 高迁移率；绝缘体上半导体材料；离子注入；异质外延；

英文摘要：

英文关键词： High mobility；Semiconductor on insulator；Ion implantation；Heteroepitaxy；