II-VI族化合物半导体团簇生长行为与光电特性研究

项目名称： II-VI族化合物半导体团簇生长行为与光电特性研究

项目编号： No.11174101

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学I

项目作者： 陈贵宾

作者单位： 淮阴师范学院

项目金额： 61万元

中文摘要： 具有直接带隙和宽禁带的ZnS、CdTe、HgTe、HgCdTe等II-VI族化合物半导体材料，以特殊的光电转换特性在红外探测、光电器件等领域有着广泛而独特的应用。本项目将以第一性原理方法为基础，首先针对等配比二元团簇，将遗传算法随机产生与第一性原理相对接的优化手段，结合手工搭建、模拟退火等多种优化策略寻找和获得基态结构；基于原子坐标和化学键合特性，探讨基态结构稳定性的微观机制，分析等配比团簇的生长行为；利用对接的优化程序计算不同配比的二元、三元化合物团簇的基态结构和光电特性，分析光电特性与元素种类、配比、结构、尺寸之间的关系；在此基础上，深入研究重要红外光电材料Hgn-mCdmTen三元团簇的结构效应和物理机制。本项目能丰富二元、三元团簇的研究内涵，寻找从原子分子到凝聚态物质演化的物理规律，为理解HgCdTe材料生长的微观机制、红外器件制备过程的硼离子掺杂机制提供依据。

中文关键词： II-VI族化合物；第一性原理计算；光电性质；透明导电薄膜；掺杂

英文摘要：

英文关键词： II-VI compound materials；First-principles calculation；Optoelectronic property；transparent conductors films；doping