硫族元素（S、Se和Te）氧位替代对p型CuAlO2薄膜表面电子态和透明导电性的影响

项目名称： 硫族元素（S、Se和Te）氧位替代对p型CuAlO2薄膜表面电子态和透明导电性的影响

项目编号： No.51402244

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 刘其军

作者单位： 西南交通大学

项目金额： 25万元

中文摘要： p型CuAlO2薄膜因其在光电领域的独特性能，引起了人们的广泛关注。然而，p型CuAlO2薄膜相对较低的电导率限制了其进一步的发展和应用。本项目将系统研究不同硫族元素掺杂、不同浓度硫化掺杂以及其对薄膜表面电子态和薄膜透明导电性的影响，建立电导率可调p型CuAlO2薄膜模型，主要研究内容包括：（1）建立不同的硫族元素（S、Se或Te）氧位替代p型CuAlO2薄膜，揭示S、Se或Te替代对薄膜光电性能的影响规律，寻找最合适的氧位替代元素；（2）对p型CuAlO2薄膜进行不同浓度的硫族元素氧位替代，研究掺杂浓度对薄膜微观电子结构及其光电性能的影响，得到每种硫族元素的最佳浓度掺杂量；（3）分析掺杂元素和掺杂量对薄膜表面电子态的影响规律，并建立硫族元素（S、Se和Te）氧位替代p型CuAlO2薄膜的导电模型。最后，导电机制和模型的建立为p型CuAlO2薄膜的进一步发展和应用提供理论和实验指导。

中文关键词： CuAlO2薄膜；p型透明导电氧化物；掺杂；电子结构；光电性能

英文摘要： The p-type CuAlO2 films attract widely attention due to their unique optoelectronic properties. However, the relatively low conductivity of p-type CuAlO2 films limits their further development and application. This project will systematically study differ

英文关键词： CuAlO2 thin films；p-type transparent conducting oxides；doping；electronic structure；optoelectronic properties