定向凝固提纯过程中冶金法多晶硅晶体缺陷动态演变及其电学性能研究

项目名称： 定向凝固提纯过程中冶金法多晶硅晶体缺陷动态演变及其电学性能研究

项目编号： No.61404063

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 魏奎先

作者单位： 昆明理工大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 冶金法多晶硅作为太阳电池转换材料具有潜在的应用前景，与西门子法多晶硅相比，存在晶体缺陷相对较多等问题。基于此，本项目提出定向凝固提纯过程中冶金法多晶硅晶体缺陷动态演变及其电学性能研究。通过改变凝固速度、温度梯度、固液界面、杂质含量、容器材料等条件，系统研究冶金法多晶硅中杂质分布和沉淀规律、晶体缺陷类型及密度、热应力分布规律之间的关联及其对电学性能的影响；结合高温显微技术，开展晶体缺陷的原位动态研究，直观的研究冶金法多晶硅中晶体缺陷连续动态的形成、转变与消除过程及演变规律；研究定向凝固提纯过程中冶金法多晶硅晶体缺陷调控机制与抑制措施及电学性能改善机理，构建冶金法多晶硅从杂质分布到晶体缺陷再到热应力分布与其电学性能之间的相互关系及作用机制，实现晶体择优取向生长和洁净晶界形成，提供改善电学性能的方案，为定向凝固提纯过程中冶金法多晶硅的品质提升和电学性能提高奠定基础，促进冶金法多晶硅的大规模应用。

中文关键词： 冶金法多晶硅；定向凝固；缺陷；电学性能；原位

英文摘要： The solar grade silicon made by metallurgical route has potential application prospect. As solar cells materials, it has many crystal defects compared with polysilicon made by Siemens method. So study on crystal defects and electrical properties of solar

英文关键词： Metallurgical poly-silicon；Directional solidification；Defects；Electrical performance；In-situ