窄带隙半导体材料量子受限结构自旋特性的电场调控

项目名称： 窄带隙半导体材料量子受限结构自旋特性的电场调控

项目编号： No.10874175

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 常凯

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 34万元

中文摘要： 近年来窄能隙半导体材料展现出新奇的物理现象，同时在国防军事和通讯方面具有广泛而重要的应用。本项目侧重于研究窄能隙半导体新奇的输运、磁学和光学性质及其电场调控方法。我们发现了一些有趣的物理现象，如：1）HgTe量子点中的边缘态；2）三维拓扑绝缘体表面磁性的电控制；3）石墨烯中应变效应导致的谷晶体管。部分研究成果发表在Phys. Rev. Lett.和Nature Materials等国际专业期刊杂志上。

中文关键词： 窄能隙半导体;输运;磁性;应变

英文摘要： Recently narrow bandgap semiconductors display novel physics phenomena, and show very wide and important application in communication and national defense. This project focuses on the transport, magnetic and otical properties and its all-electrical manipulation. We find some interesting and important results: 1) the edge states in HgTe quantum dots; 2)all-lelectrical control of the surface magnetism of three-dimensional topological insulators; 3) strain engineering of graphene, which leads to the valley transistor. These results are publised in Nature Materials, Phys. Rev. Lett..

英文关键词： Narrow gap semiconductors; transport;magnetism;strain