半导体性二维过渡金属硫化物的控制合成及器件研究

项目名称： 半导体性二维过渡金属硫化物的控制合成及器件研究

项目编号： No.51372134

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 焦丽颖

作者单位： 清华大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 二维过渡金属硫化物的控制合成与器件研究是一个新兴的研究领域，充满着机遇与挑战。以MoS2为代表的半导体性二维过渡金属硫化物蕴含着新奇的物理现象并呈现出优异的物理化学性质，在纳电子器件领域及新型光电器件领域具有重要而深远的应用前景。本项目以实现这一新兴材料体系在纳电子器件领域的实用化为目标，围绕材料的控制合成、电子器件加工与器件性能优化展开。针对实现这类材料控制合成最具挑战性的关键问题，提出了利用氧化物晶体作为模板通过自限制的气相硫化反应合成二维过渡金属硫化物的新思路，建立可控制备半导体性二维过渡金属硫化物的普适方法；发展针对二维过渡金属硫化物的无损转移与图形化方法，建立器件加工工艺；探索基于二维过渡金属硫化物的器件性能优化方法，阐明材料本征性质与器件性能的关系，探求基于这一新型材料体系的器件性能极限。

中文关键词： 二维；过渡金属硫化物；控制合成；电子器件；性能优化

英文摘要： Controlled synthesis and electronic devices of two-dimensional (2D) transition metal sulfides is an emerging research field in recent years. Semiconducting 2D transistion metal sulfides, such as MoS2 reveal interesting physical phenomena and present uniqu

英文关键词： two-dimensional；transistion metal sulfides；controlled synthesis；electronic devices；performance optimization