高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型

项目名称： 高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型

项目编号： No.60906037

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 陈万军

作者单位： 电子科技大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 氮化镓（GaN）电子器件是国际半导体领域研究热点和战略制高点之一。本申请提出一种具有复合阳极的AlGaN/GaN场控功率整流器新结构并建立其电流－电压模型。该结构通过肖特基－欧姆接触构成复合阳极实现对器件开启与截止的电场控制，这是一种新的器件工作机理。该结构不仅具有高压、高速、低功耗等优点，还与AlGaN/GaN HEMT功率开关器件工艺兼容，特别适合功率半导体向集成化、智能化、小型化发展的需要。同时，本申请采用等效电阻网络方法，对所提出的GaN功率整流器新结构建立含有温度、偏置电压以及器件结构等参数的电流－电压模型，该模型的建立具有普适性，可应用于其它功率器件研究中。本申请是一项具有国际先进水平的基础性开拓研究，具有重大的科学意义和应用价值，在经济和军事领域具有广阔和特殊的应用前景。

中文关键词： 氮化镓；功率整流器；氟离子注入技术；高迁移率晶体管；模型

英文摘要：

英文关键词： GaN；power rectifier；F ions implantation technology；HEMT；modling