半导体异质结构中的量子实空间转移-理论与实验

项目名称： 半导体异质结构中的量子实空间转移-理论与实验

项目编号： No.61176082

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 陈建新

作者单位： 中国科学院上海技术物理研究所

项目金额： 74万元

中文摘要： 本项目拟开展一新的半导体量子效应"量子实空间转移"的研究。量子实空间转移的概念由本项目的合作者于上世纪90年代后期提出。它与此前的经典实空间转移有着根本的区别，是一新的半导体量子效应，但从未得到实验证实。本项目将进一步完善量子实空间转移的理论模型，阐明早期理论中的关键因素，精心设计用于实现量子实空间转移的半导体台阶量子阱结构。我们将采用先进的分子束外延技术开展台阶量子阱结构的生长研究，用现代半导体工艺技术进行器件样品的制备研究，并设计测试实验，进行相关的物理参数测试以验证量子实空间转移的构想。在实验的后期，我们也将开展量子实空间转移在光电子和射频电子器件等方面的应用探索。量子实空间转移的实验证实和深入研究将有助于人们在新的平台上认识和发现新的量子过程和现象，发展新的半导体功能器件。

中文关键词： 量子实空间转移；负阻效应；GaAsSb/AlInAs；台阶量子阱；红外功能器件

英文摘要：

英文关键词： quantum real space transfer；negative differential resistance；GaAsSb/AlInAs；step quantum well；infrared detector