基于积累型砷化镓门型量子点的固态量子比特

项目名称： 基于积累型砷化镓门型量子点的固态量子比特

项目编号： No.11174267

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 肖明

作者单位： 中国科学技术大学

项目金额： 75万元

中文摘要： 砷化镓门型量子点一直是固态量子计算的前沿研究领域，取得了量子比特的制备，测量，与相干性操作等一系列成果。但传统的砷化镓门型量子点是基于掺杂的砷化镓异质节中的二维电子气的。掺入的杂质会不可避免地削弱量子点中单个电子的极微小的电荷与自旋的稳定性。高迁移率的砷化镓掺杂浓度高，对稳定性影响更大，这使得现在的耗尽型砷化镓门型量子点不能在高电子迁移率虑的砷化镓材料上制备成功。简言之，器件的高性能与高稳定性不能兼顾。我们计划采用不掺杂的砷化镓材料，应用双层门电极的方法，由顶层门电极产生高迁移率的二维电子气，底层门电极形成量子点，制造出积累型的砷化镓门型量子点，并实现量子比特的操控与测量。这样的固态量子点比特能兼顾高性能与高稳定性，为推动固态量子计算机的实用化开辟新的道路。

中文关键词： 量子计算机；门型量子点；砷化镓；无掺杂；积累型

英文摘要：

英文关键词： Quantum Computer；Gate-defined QUantum Dot；GaAs；Undoped；Accumulation Mode