GaN异质结中快重离子引起电离损伤的研究

项目名称： GaN异质结中快重离子引起电离损伤的研究

项目编号： No.10979063

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 张崇宏

作者单位： 中国科学院近代物理研究所

项目金额： 35万元

中文摘要： GaN异质结以其优越的物理性能成为制备高温、高频、大功率电子器件的重要材料，在雷达、卫星通信以及核工业监控方面有很大的应用潜力。在空间辐射环境，宇宙射线中高能重离子成分在GaN异质结中造成的电离损伤是一个尚需澄清的问题。本项目拟利用兰州重离子加速器HIRFL提供的能量在（1-3）MeV/amu范围的Ne、Ar、Kr、Pb离子，研究在类似空间环境快重离子入射在GaN异质结中造成的潜径迹的微观结构，及其对材料电子学性能的影响。重点研究GaN外延膜及其异质结中连续径迹形成的电子能损阈值条件，径迹的结构对辐照温度的依赖关系，连续径迹的形成对材料载流子浓度和迁移率、漏电流、反向击穿电压等电子学性能的影响。为改善GaN异质结器件的辐照稳定性提供快重离子辐照损伤的实验依据。

中文关键词： 氮化物；异质结；快重离子；缺陷；电学性能

英文摘要：

英文关键词： nitride；Hetero-junction；swift heavy ion；defect；electronic property