Si衬底半极性和非极性GaN基材料生长及LED研制

项目名称： Si衬底半极性和非极性GaN基材料生长及LED研制

项目编号： No.51172079

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无机非金属材料学科

项目作者： 李述体

作者单位： 华南师范大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 由于极性GaN在〈0001〉方向存在较强的自发极化和压电极化，产生高强度的内建电场，造成电子和空穴分离等不利影响，阻碍GaN器件性能进一步提升。近年来，众多研究者对半极性和非极性GaN材料与器件进行了研究。本项目拟进行Si衬底半极性和非极性GaN基材料生长及LED研制。主要研究内容有：制备适合半极性和非极性GaN生长的Si图形衬底；侧向外延生长高质量半极性和非极性GaN薄膜；研究极化强度对GaN基材料及其量子阱等结构性能的影响；研制Si衬底半极性或非极性GaN基LED外延片。 本项目通过在低成本的Si衬底表面制备图形，利用GaN在Si（111）面侧向外延，有望生长出高质量的半极性和非极性GaN基材料，减少极化强度对材料和器件的影响，为大尺寸Si衬底上高性能半极性和非极性GaN基器件研制做出贡献。项目还将深入研究极化强度对材料和器件性能的影响机制，为设计GaN基器件结构提供实验和理论依据。

中文关键词： 非极性GaN；Si衬底；LED；金属有机化学气相沉积；

英文摘要：

英文关键词： Nonpolar Gallium Nitride；Silicon Substrate；Light Emitting Diodes；Metalorganic Chemical Vapor Deposition；