新型衬底上的III族氮化物外延薄膜的掺杂机理与器件应用基础研究

项目名称： 新型衬底上的III族氮化物外延薄膜的掺杂机理与器件应用基础研究

项目编号： No.51372001

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李国强

作者单位： 华南理工大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 针对蓝宝石与GaN晶格失配度高、且热传导性能差而导致的氮化物基发光器件的效率及功率都较低的问题，申请人在前期的研究中，采用了一些与氮化物晶格匹配良好、或/且具有高热导率的新型衬底（包括LiGaO2和La0.3Sr1.7AlTaO6两种新型氧化物、及Cu、Ag、W三种金属、以及Si）来生长氮化物；同时，还为非极性氮化物薄膜的生长提出了一个新的衬底/外延体系（LiGaO2(100)//m-GaN）。目前，申请人在此类新型衬底上的非掺杂氮化物薄膜的外延生长方面已经取得了良好的进展。但是，要真正实现在这些新型衬底上制作高效氮化物器件，还需完成在此类新型衬底上氮化物薄膜的掺杂及多量子阱的制备。这正是本项目拟开展的主要研究内容。为此，在本研究将深入探讨新型衬底材料上高质量氮化物薄膜的掺杂机理与高质量量子阱的制备方案；在此基础上，开展器件应用基础研究，力图发展具有自主知识产权的氮化物光电器件核心技术。

中文关键词： III族氮化物器件；新型衬底；掺杂；多量子阱；

英文摘要： Sapphire has a large lattice mismatch with GaN and a low thermal conductivity, which results in low efficiency and low power of GaN-based LEDs grown on sapphire. To overcome these issues, the applicant has already tried a variety of unconventional substra

英文关键词： III-nitride devices；unconventional substrate；doping；multiple quantum wells；