We present a TCAD compatible multiscale model of phonon-assisted band-to-band tunneling (BTBT) in semiconductors, that incorporates the non-parabolic nature of complex bands within the bandgap of the material. This model is shown capture the measured current-voltage data in silicon, for current transport along the $[100]$, $[110]$ and $[111]$ directions. Our model will be useful to predict band-to-band tunneling phenomena to quantify on and off currents in Tunnel FETs and in small geometry MOSFETs and FINFETs.
翻译：我们提出了一个可兼容的半导体中半无助带带间隧道多尺度模型,其中包括材料带宽内复合带的非抛物性,该模型显示的是硅、目前沿$[100]美元、$[110]美元和$[111]美元方向运输的测量的当前电压数据。我们的模型将有助于预测带间隧道现象,以量化FET隧道、小几何式MOSFET和FINFET中的流流和离流。
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ACM/IEEE第23届模型驱动工程语言和系统国际会议，是模型驱动软件和系统工程的首要会议系列，由ACM-SIGSOFT和IEEE-TCSE支持组织。自1998年以来，模型涵盖了建模的各个方面，从语言和方法到工具和应用程序。模特的参加者来自不同的背景，包括研究人员、学者、工程师和工业专业人士。MODELS 2019是一个论坛，参与者可以围绕建模和模型驱动的软件和系统交流前沿研究成果和创新实践经验。今年的版本将为建模社区提供进一步推进建模基础的机会，并在网络物理系统、嵌入式系统、社会技术系统、云计算、大数据、机器学习、安全、开源等新兴领域提出建模的创新应用以及可持续性。
官网链接：http://www.modelsconference.org/
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