半导体衬底上FeSe薄膜的外延生长及界面超导

项目名称： 半导体衬底上FeSe薄膜的外延生长及界面超导

项目编号： No.11404183

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 周冠宇

作者单位： 清华大学

项目金额： 30万元

中文摘要： 利用分子束外延生长技术，实现铁基超导体FeSe在半导体GaAs衬底上的外延生长，考察不同层厚的外延FeSe薄膜的超导性质。通过生长掺杂层来改变衬底的掺杂类型以及掺杂浓度，考察载流子掺杂对FeSe薄膜界面超导性质的影响，并绘制超导临界温度随载掺杂浓度变化的相图。通过改变In组份获得不同晶格常数的InxGa1-xAs衬底，考察应力对FeSe薄膜界面超导性质的影响。

中文关键词： 界面超导；分子束外延；单层FeSe；外延生长；电声子耦合

英文摘要： We will use molecular beam epitaxy technique to realize the epitaxial growth of FeSe thin film on semiconductor GaAs substrates, and investigate the superconductivity with respect to film thickness. Moreover, by tuning the doping concentration and doping

英文关键词： Interface Superconductivity；Molecular Beam Epitaxy；Monolayer FeSe；Epitaxial Growth；Electron-Phonon Coupling