单层石墨Rashba效应的产生机制研究

项目名称： 单层石墨Rashba效应的产生机制研究

项目编号： No.10979021

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 乔山

作者单位： 复旦大学

项目金额： 36万元

中文摘要： 自旋电子学（spintronics）器件可以通过与电子自旋相关联的量子效应产生一些新奇的功能，其应用前景及重要性可以由前年获得诺贝尔物理学奖的巨磁电阻效应（GMR,一种典型的自旋电子学效应）得到说明。单层石墨（graphene）中的传导电子已经向我们展示了许多新奇的特性，如相对论运动特性、零有效质量、室温量子霍耳效应等。最近的理论及实验研究显示，graphene/Ni(111)体系很可能是一个完美的自旋电子学材料。本工作拟对此体系开展X射线磁圆二色(XMCD)及自旋分辨光电子谱研究。研究的重点将放在碳2p电子与镍3d电子间的杂化对单层石墨中电子自旋及自旋轨道相互作用的影响。本工作将从自旋、轨道磁矩相关的电子状态这个最基本层面出发，检验graphne/Ni(111)体系是不是一个理想的电子自旋滤波材料、确认其中Rashba效应的有无、解释其产生机制并对已有的实验结果给出本质的解释。

中文关键词： 单层石墨；拓扑绝缘体；稀磁半导体；Rashba效应；pd相互作用

英文摘要：

英文关键词： graphene；topological insulator；DMS；Rashba effect；pd interaction