大尺寸AlN单晶材料制备技术研究

项目名称： 大尺寸AlN单晶材料制备技术研究

项目编号： No.61136001

项目类型： 重点项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 郑瑞生

作者单位： 深圳大学

项目金额： 290万元

中文摘要： 氮化铝（AlN）单晶材料在短波长光电子器件及新型电子器件方面有巨大的应用前景，大尺寸AlN单晶材料制备关键技术是当前亟待解决的重大科学问题。本项目在课题组持续八年研究的基础上，探索在高温高压条件下用物理气相传输法制备大尺寸AlN单晶的工艺条件和技术手段，积极优化和改进晶体生长设备，通过大量的实验和理论研究逐步了解AlN单晶的生长规律，掌握制备大尺寸AlN单晶材料的关键技术，制备出2英寸以上的AlN单晶。本项目的研究成果将极大地提升我国在Ⅲ族氮化物半导体方面的原始创新能力和整体研究水平，增强我国在这一高新技术领域中的国际竞争力。

中文关键词： 氮化铝；晶体；制备技术；物理气相传输法；

英文摘要：

英文关键词： aluminum nitride；crystal；growth technolog；physical vapor transport；