用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究

项目名称： 用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究

项目编号： No.11175200

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 章志明

作者单位： 中国科学院高能物理研究所

项目金额： 68万元

中文摘要： 针对强磁场下射线成像的应用需求，对基于硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier,SiPM）的位置灵敏探测器技术进行研究。研究基于SiPM的探测器在不同条件下的计数能力、时间响应能力、能量分辨能力、位置分辨能力等基本性能，设计研制结构紧凑、可在强磁场下工作的、固有位置分辨率优于2.0mm、时间分辨率优于3ns的位置灵敏型探测器及其前端电子学，并在核磁共振仪的强磁场内测试双探头符合成像效果，使其综合性能达到PET-MRI双模态成像的要求，并且能够应用于空间探测、高能物理、公共安全等领域。

中文关键词： 硅光电倍增管；探测器；射线成像；位置分辨；时间分辨

英文摘要：

英文关键词： Silicon photomultiplier；Detector；radiography；position resulotion；time resolution