原子层尺度可控的InGaZnO薄膜和异质结构制备及其应用研究

项目名称： 原子层尺度可控的InGaZnO薄膜和异质结构制备及其应用研究

项目编号： No.61376008

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 卢红亮

作者单位： 复旦大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 铟镓锌氧 (IGZO)薄膜具有可低温淀积、透明性好、导电率高及均匀度佳等特点，是透明电子学领域新兴的宽禁带半导体材料。但多元IGZO薄膜在组分精确控制及晶体管(TFT)应用等方面，仍存在诸多问题。本项目(1)利用原子层淀积(ALD)方法精确的组分控制能力，制备原子层级可控的多元IGZO薄膜，对其生长规律、制备条件进行深入研究，探索元素组分、缺陷与薄膜光电特性的内在规律，获得高性能IGZO薄膜制备的最佳工艺；(2)ALD高K栅介质的工艺优化及其与IGZO异质结构的界面特性调控，通过原位测试分析手段，筛选出适合于IGZO-TFT的高K栅介质及其制备方法；(3) 探究改善高K栅介质/IGZO-TFT运行稳定性的方法，探明快速热退火条件和等离子处理方法对界面、表面修补作用的物理机制。通过优化的IGZO组分比、高K栅介质和后处理工艺，为进一步提高IGZO-TFT器件特性提供实验参数和理论依据。

中文关键词： 薄膜晶体管；铟镓锌氧；原子层沉积；高k介质；

英文摘要： The transparent indium gallium zinc oxide (IGZO) film is a promising wide bandgap semiconducting oxide for high quality thin-film transistors (TFTs) in modern display devices owing to their technologically important features, including their high electron

英文关键词： Thin film transistor；IGZO；Atomic layer deposition；High-k dielectrics；