面向NBTI的SOC芯片可靠性设计关键技术研究

项目名称： 面向NBTI的SOC芯片可靠性设计关键技术研究

项目编号： No.60976021

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 杨胜齐

作者单位： 上海大学

项目金额： 38万元

中文摘要： 芯片特征尺寸小于90纳米后，NBTI (Negative Bias Temperature Instability) 效应成为可靠性中的关键问题。SOC芯片设计者面临的挑战包括，如何快速地计算芯片由于NBTI效应引起的电路延迟退化，以及如何利用这些信息有效提高芯片的可靠性与工作寿命。本项目研究如何对一个复杂SOC的 RTL设计进行NBTI效应的建模和电路延迟变化的近实时仿真与计算，针对这一国际前沿课题，研究内容包括NBTI效应在晶体管级与电路级的理论分析与建模、计算NBTI效应的电路面积优化算法、基于FPGA的NBTI效应高速仿真与计算的自动化生成算法等。该项目的成功完成，将为提高芯片的可靠性提供坚实的理论基础，同时推动SOC芯片可靠性设计方法（Design for Reliability）的发展，使之成为设计者的一个有力工具。

中文关键词： NBTI效应；可靠性设计；关键性计算；潜在关键路径；关键门电电路

英文摘要：

英文关键词： NBTI effect；design for reliability；criticality computation；potential critical path；critial node and gate