离子束溅射外延h-BN二维原子晶体及其与石墨烯异质结构研究

项目名称： 离子束溅射外延h-BN二维原子晶体及其与石墨烯异质结构研究

项目编号： No.61376007

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 张兴旺

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 85万元

中文摘要： 六角氮化硼（h-BN）与石墨烯晶格常数匹配，可实现原子级的平整度，且其表面极少存在悬挂键和电荷陷阱，有利于保持本征石墨烯极高的载流子迁移率，因此石墨烯/h-BN异质结构成为近年来的研究热点。除了机械剥离，大部分实验研究采用化学气相沉积（CVD）制备h-BN薄层，但CVD生长过程复杂，各种生长参数相互关联，且选择合适的前驱体存在困难。离子束溅射是一种成熟且应用广泛的物理气相沉积技术，目前尚未有利用离子束溅射制备h-BN的报道。我们拟采用离子束溅射在Cu或Ni单晶薄膜上外延生长h-BN二维原子晶体，并结合CVD技术制备石墨烯/h-BN异质结构。通过直接沉积的方式可以获得大面积、任意形状的样品，而且可避免转移过程引入的污染，提高石墨烯/h-BN的界面质量。通过该项目的实施，期望实现高质量石墨烯/h-BN异质结构的可控制备，探明异质结构的成核和生长机制，为大面积石墨烯电子学的应用奠定基础。

中文关键词： 六方氮化硼；异质结；光电器件；；

英文摘要： Hexagonal boron nitride (h-BN) has the same atomic structure as graphite with a small lattice mismatch, and its lamellar nature provides it an atomically flat surface. Furthermore, owing to the absence of dangling bonds and charge traps at the surface of

英文关键词： h-BN；heterostructures；optoelectronics devices；；