高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究

项目名称： 高性能槽栅结构4H-SiC功率MOSFETs研究

项目编号： No.61404098

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 宋庆文

作者单位： 西安电子科技大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 本课题主要针对高性能碳化硅（112(—)0）面槽栅功率MOSFET器件所面临的外延材料和器件物理相关基础科学问题开展研究。以研究（112(—)0）面的SiC热氧化及SiO2/SiC界面缺陷分布与器件性能之间的规律关系和阐述相应的物理机理作为主要的研究内容，最终制备出（112(—)0）面的槽栅 MOSFET器件作为验证，研制出碳化硅（112(—)0）面槽栅功率MOSFET器件芯片，实现器件比导通电阻低于2m？？cm2，器件击穿电压不低于1700，实现器件的BFOM（BV2/Ron-sp）值达到1000MW/cm2。

中文关键词： 碳化硅；功率金属氧化物场效应晶体管；击穿电压；氧化；

英文摘要： This proposal mainly investigates the fundament problem of high performance （112(—)0）4H-SiC trench gate power MOSFET. The relationship between characteristics of MOSFETs and （112(—)0）4H-SiC thermal oxidation, SiO2/SiC interface characteristics and interfa

英文关键词： SiC；Power MOSFET；Breakdown Voltage；oxidation；