高效GaInP/GaAs/InGaAs/Ge多结太阳能电池生长和键合制备关键技术研究

项目名称： 高效GaInP/GaAs/InGaAs/Ge多结太阳能电池生长和键合制备关键技术研究

项目编号： No.61376081

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 边历峰

作者单位： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

项目金额： 80万元

中文摘要： 根据 Shockley-Quisser模型，带隙能量为1.9/1.4/1.0/0.67 eV的多结太阳电池可以满足对太阳光谱高效吸收，实现太阳能电池的高电压、低电流输出，同时该结构可以有效降低高倍聚光太阳电池中的电阻热损失，从而降低高倍聚光电池的使用成本。但目前通过生长直接得到满足此带隙组合的高质量多结太阳能电池仍存在很多问题。该项目针对其材料生长和器件制备的两个关键点，通过分渐变以及应变超晶格作为缓冲结构在GaAs衬底上实现高质量的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳能电池，并利用晶片键合技术工艺，探索解决关键制备问题，实现此三结电池与Ge电池的单片集成，得到带隙能量为1.9/1.4/1.0/0.67 eV的多结太阳电池，该电池在理论上可以获得超过 45%的转换效率。通过该项目实施所获得的技术突破将有助于推动高效太阳能电池的进一步发展。

中文关键词： 多结太阳能电池；分子束外延；键合；；

英文摘要： According to Shockley-Quisser theory, multi-Junction GaInP/GaAs/InGaAs/Ge solar cell with bandgap energy of 1.9/1.4/1.0/0.67 eV is a best choice for full-spectrum absorption of solar energy, which could get the output of high voltage and low current, and

英文关键词： multi-Junction solar cell；molecular-beam-epitaxy；wafer bonding technology；；