感性负载下MOS栅功率器件的动态雪崩失效机理及可靠性研究

项目名称： 感性负载下MOS栅功率器件的动态雪崩失效机理及可靠性研究

项目编号： No.61404161

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 陆江

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 22万元

中文摘要： 研究MOS栅结构功率器件感性负载条件下动态雪崩的失效机理及关键加固优化设计技术，对主流的两种MOS栅功率器件（功率MOSFET、IGBT）的动态雪崩瞬态变化过程进行对比分析，构建功率器件红外热成像实时监控系统平台研究器件的温度不均匀分布特性，使用二维电热混合模拟及三维仿真手段进行模型验证。掌握两类MOS栅结构功率器件发生动态雪崩失效的物理机理，从结构相似性特点分析两种器件的可靠性共性问题及优化策略，从对比的角度来分析结构差异对动态雪崩可靠性的差别化影响，并给出差异化的设计优化方案。研究工作采用实验数据分析和模拟仿真拟合结合，从器件元胞结构、纵向结构、内部载流子分布、终端结构设计等方向分析失效机理，研究影响器件性能优化的关键点。通过对比研究，能够更加深刻的理解器件内部物理机理，对于提升国产功率器件在感性负载条件下工作的可靠性具有重要的意义和实用价值。

中文关键词： 动态雪崩；功率场效应晶体管；绝缘栅双极晶体管；可靠性；

英文摘要： In this project, the dynamic avalanche failure mechanism of MOS controlled power device under inductance load is studied. And the related key optimized design technology is presented. The transient process of two kinds of core power semiconductor devices

英文关键词： dynamic avalanche；power MOSFET；IGBT；reliability；