亚20纳米碳纳米管CMOS器件研究

项目名称： 亚20纳米碳纳米管CMOS器件研究

项目编号： No.61376126

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 张志勇

作者单位： 北京大学

项目金额： 82万元

中文摘要： 碳纳米管具有独特的结构和优异的电学性质，特别是超细的管径、导带与价带几乎完全对称的能带结构，因此在构建小尺寸CMOS器件方面极具潜力。碳纳米管晶体管具有更好的尺寸缩减性能，能够满足8纳米以下技术节点的集成电路技术的要求。但是栅长小于100纳米的碳纳米管CMOS顶栅器件尚未实现。本项目探索亚20纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管器件的制备，测试和研究器件电学特性，并确定优化方案。在此基础上评估碳纳米管集成电路取代硅基CMOS技术的可能性。具体研究目标：（1）制备出栅长小于20纳米的碳纳米管顶栅CMOS器件和简单的集成电路电路；（2）研究主要结构参数和工艺参数对器件的主要性能的影响，给出亚20纳米碳纳米管CMOS器件性能的优化方针，探索碳纳米管器件的栅长缩减极限和性能极限；（3）研究接触电极尺寸缩减对碳纳米管器件性能的影响，探索接触电极尺寸缩减的极限，进而优化碳纳米管CMOS器件面积.

中文关键词： 碳纳米管；CMOS晶体管；集成电路；；

英文摘要： Owing to its unique structure and excellent electrical properties, especially including ultra-thin body and symmetric band structure between conduct band and valance band, carbon nanotube has been considered as a promising material to build ultra-small CM

英文关键词： Carbon nanotube；CMOS field-effect transistro；Integrated circuits；；