氧化物阻变效应动态过程及相关机理研究

项目名称： 氧化物阻变效应动态过程及相关机理研究

项目编号： No.11374339

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 陈沅沙

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 89万元

中文摘要： 氧化物阻变效应不仅在下一代非易失性存储技术的研发上具有着巨大的应用前景，同时还涉及到介质材料中非平衡输运过程，低维体系和渝渗理论等丰富的物理现象，是一个目前被学术界和产业界所共同关注的热点研究课题。然而，氧化物材料阻变效应物理机制的不清楚不明确已经成为了制约阻变存储技术大规模实用化的瓶颈问题。本项目将在不同阻变体系中选取典型器件作为研究对象，主要针对其阻变效应的动态过程开展系统地研究。与目前模式化的常规测量方法相比，阻变动态过程的研究可以从一个新的角度来表征和分析不同阻变体系的内在物理性质和特征规律。这些新的阻变特性参数将为进一步阐明不同阻变体系所对应的物理机制提供更明确的实验证据。进一步地，我们希望利用计算模拟和实验数据相结合的手段，建立起氧化物介质软击穿过程中导电通道形成演化的清晰物理模型，从而为阻变存储器的器件设计和性能优化提供理论预测和指导。

中文关键词： 阻变效应；动态过程；光学显微；纳米线；记忆二极管

英文摘要： Recently, the resistive switching (RS) effect in oxide materials has attracted great attention of both research institutes and companies due to its petential application for the next generation non-volatile memory, known as resistive random access memory

英文关键词： resistive switching effect；dynamic process；optical microscopy；nanowire；memdiode