Mn基反铁磁材料双势垒隧穿各向异性磁电阻效应的研究

项目名称： Mn基反铁磁材料双势垒隧穿各向异性磁电阻效应的研究

项目编号： No.51371007

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 王磊

作者单位： 安徽大学

项目金额： 80万元

中文摘要： Mn基反铁磁材料在巨磁电阻和隧道结自旋阀中做为钉扎层具有重要的应用，最近，在Ir-Mn中发现超过100%的隧穿各向异性磁电阻效应(TAMR) 显示了反铁磁材料又一独特属性，尤其是具有高TAMR效应且奈耳温度高于室温的半导体反铁磁化合物可以成为极具应用价值的磁性半导体材料，反铁磁自旋电子学概念也应运而生。目前的反铁磁TAMR材料都是单势垒结构且室温TAMR值较低。本项目以具有两层反铁磁层和势垒层的双势垒反铁磁TAMR效应为研究目标，利用交换偏置中的铁磁/反铁磁耦合场调节两层反铁磁磁矩的相对取向，研究在此情况下，电子自旋-轨道耦合导致的两层反铁磁费米面上态密度的不同匹配对TAMR效应的影响以及电子在双势垒中的隧穿机制等物理问题，并探索进一步提高反铁磁TAMR效应的途径。该项目不但有助于进一步深入理解反铁磁TAMR效应的机制，而且为实验上发现具有应用价值的反铁磁磁性半导体材料提供理论基础。

中文关键词： 畴壁；纵向矫顽力异质结；磁电阻效应；；

英文摘要： The Mn-based antiferromagnetic(AFM) layer plays a fundamental role in GMR and TMR stack as a pinned layer. Recently, more than 100% tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR) ratio was observed in Ir-Mn alloy, TAMR itself can be a experimental tool to

英文关键词： domain wall；transverse coercivity heterostructures；magnetoresistance effect；；