宽带隙氧化物光电功能材料的基础研究

项目名称： 宽带隙氧化物光电功能材料的基础研究

项目编号： No.91233120

项目类型： 重大研究计划

立项/批准年度： 2013

项目学科： 信息四处

项目作者： 李京波

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 80万元

中文摘要： 宽带隙的半导体氧化物纳米材料在光电集成器件、信息处理、光催化和新型能源利用方面有广泛的应用前景。但由于对其电子结构、掺杂机制、磁性和热电特征等缺乏深入认识而限制了它们的应用。本课题针对宽带隙金属氧化物的能带结构、掺杂机制、影响其磁学性质和热电特征的因素展开研究，利用第一性原理大规模计算实现带隙的可控调节、克服p-型掺杂瓶颈，从本质上理解非掺杂和掺杂情况下磁性的微观起源，理解影响热电转化效率的微观机制，以此给出可行的调控措施。在此基础上，结合理论模型和计算结果，在实验上合成相关的氧化物薄膜和纳米材料，达到理论指导实验的目的。该项目的研究能够有力促进理论方法的发展和创新，在优化设计和改良氧化物特性方面有重要意义，有力推进半导体金属氧化物在新一代光电器件和新能源领域的应用。

中文关键词： 氧化物；第一性原理计算；p-型掺杂；光电材料；

英文摘要：

英文关键词： oxide semiconductors；first principles calculations；p-type doping；optoelectronic materials；