"栅控源"薄膜晶体管工艺、性能及应用的研究

项目名称： "栅控源"薄膜晶体管工艺、性能及应用的研究

项目编号： No.60906039

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 化学工业

项目作者： 郭小军

作者单位： 上海交通大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 此申请项目针对薄膜晶体管尺寸缩小化以满足高性能集成发展的需要而面临的短沟道效应问题，探讨一种全新的晶体管结构设计。这种"栅控源"结构用栅极对载流子在源极的注入的控制来代替栅极对沟道的控制，即使在缩短源、漏极的距离来提高器件速度的情况下，载流子在源极的注入仍能处于栅极的完全控制下。这种器件结构在用于设计短沟道薄膜晶体管器件时，不需要很薄的栅绝缘层就可以有效地抑制短沟道效应，从而能够提供优越的器件模拟/数字特性。此项目将深入地研究基于半导体表面参杂形成势垒的"栅控源"晶体管的工艺技术，以及载流子运输的物理机制，建立用于器件性能优化的分析模型，探讨 "栅控源"晶体管的电路设计方法和应用。

中文关键词： 薄膜晶体管；栅控源；短沟道效应；低功耗；溶液法

英文摘要：

英文关键词： thin film transistor；source gated；short channel effects；low power；solution process