硅基Ⅳ族材料红外光子学探测器件的基础研究

项目名称： 硅基Ⅳ族材料红外光子学探测器件的基础研究

项目编号： No.61177038

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 薛春来

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 72万元

中文摘要： 硅基光子学是近年来业界研究的热点，未来硅基光子学一个新的发展趋势是波长不断向中红外波段扩展，其中亟待解决的一个重要问题就是如何突破硅材料的光子带隙限制，发展应用于通信波段及中红外的光子学材料及器件。本课题针对硅基红外光子学未来发展中对光信息探测的需求，以发展适用硅基红外光子学系统应用的新型光子探测器件为目标，利用创新外延生长模式及原子源抑制分凝技术制备高质量的GeSn异质外延材料，系统研究GeSn器件的工艺难点，研制新型的近红外及中红外高效Si基探测器及阵列。通过本课题的研究，重点解决新型硅基红外探测材料GeSn的高质量异质外延及器件工艺中的难题，揭示GeSn器件暗电流产生的机理，探寻控制暗电流的新方法，建立GeSn材料的红外光学表征模型，优化GeSn光电探测器件的结构设计和工艺流程，发展适于近红外通讯波段以及中红外探测的GeSn红外光电探测器件及阵列，为硅基红外光子学的发展奠定基础。

中文关键词： 锗锡材料；短波红外探测器；硅基光子学；硅基探测器；

英文摘要：

英文关键词： GeSn alloy；infrared photodetectors；silicon photonics；Si-based photodetectors；