基于SiC单晶石墨烯和类石墨烯的外延生长与表征研究

项目名称： 基于SiC单晶石墨烯和类石墨烯的外延生长与表征研究

项目编号： No.50972162

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 黄青松

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 36万元

中文摘要： 独立存在的石墨烯是由sp2杂化的碳原子相互连接构成的一种二维结构。具有许多新奇性质，是目前研究的热点。然而，有效获取高品质石墨烯仍然是制约进一步研究和应用的瓶颈。 由SiC外延生长的石墨烯性质并未有实质性改变，而且还可以实现基底向膜层的掺杂，及对带隙进行调控。然而目前实现SiC外延生长石墨烯只有一种热分解法，且由于均匀形核限制了外延石墨烯层数的均匀性和相同层数面积的大小。基于此，本项目提出采用脉冲电子束轰击的方法来克服热分解过程中的均匀形核和岛状生长，探索在碳化硅不同晶面上外延生长高质量大面积石墨烯和类石墨烯结构的有效途径。我们拟通过可控电子轰击法来研究单晶SiC不同晶面受到轰击时，硅原子的逸出规律和碳原子重构机制，考察不同晶面生长的石墨烯和类石墨烯性质的差异。从预研结果来看，这种方法有望实现对层数和面积的有效调控，能够为基于大面积石墨烯材料的电子器件奠定材料基础。

中文关键词： 石墨烯；Dirac 费米子；载流子迁移率；脉冲电子束；类石墨烯

英文摘要：

英文关键词： Graphene；T-Graphene；Charge-Carrier Mobilit；PEI；Dirac Fermion