应力对二维拓扑绝缘体输运性质的影响

项目名称： 应力对二维拓扑绝缘体输运性质的影响

项目编号： No.11147187

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 机械、仪表工业

项目作者： 刘根华

作者单位： 中南林业科技大学

项目金额： 5万元

中文摘要： 拓扑绝缘体是一类由自旋轨道耦合效应导致的新奇量子物质态,具有类似于绝缘体的能隙但存在无能隙的表面(边缘)态，能带具有线性色散和手性特征，其动量取向和自旋取向锁定，近年来引发了广泛的研究兴趣。本项目将研究HgTe/CdTe量子阱等二维拓扑绝缘体在应力作用下的电子结构、拓扑相变和量子输运及其相互关联等问题。具体研究内容包括：应力对无能隙边缘态电子结构的影响，普通半导体与拓扑绝缘体之间相互转換(拓扑相变)的应力调控；同时研究该体系自旋轨道耦合和边缘态的自旋劈裂与单轴应力、电场和量子限制之间的内在联系；并阐明应变对二维拓扑绝缘体量子输运的影响。相关的研究可能展现并解释一些与常规半导体异质结二维电子气体系不同的新的量子效应和现象，并可能为从原理上设计一些功能可调的新型自旋电子器件提供物理基础。

中文关键词： 拓扑绝缘体；HgTe/CdTe 霍尔Bar；电子能带；应变；自旋输运

英文摘要：

英文关键词： topological insulator；HgTe/CdTe Hall Bar；electronic band；strain；spin-dependent transport