自旋极化量子薄膜表面的Rashba效应的研究

项目名称： 自旋极化量子薄膜表面的Rashba效应的研究

项目编号： No.10974237

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 何珂

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 42万元

中文摘要： Rashba效应可以在一个非磁性材料中产生自旋极化电子，并影响电子的自旋相关输运性质,在自旋电子学的许多领域起着至关重要的作用。在具有自旋极化量子阱态的量子薄膜中，可以通过改变薄膜的厚度和衬底磁化方向调控其电子的能带结构和自旋结构。在本项目中，我们将致力于实现同时具有Rashba自旋劈裂表面态和自旋极化量子阱态的复合量子薄膜系统，探索两者的共同作用和相互间的耦合所可能导致的新奇的电子结构和物理现象。我们将运用角分辨光电子能谱、扫描隧道显微术等手段系统地研究此类系统的能带和自旋结构随衬底磁化状态、薄膜厚度、表面成分等参数的变化，特别是希望能观测到理论所预言的可由衬底磁化所控制的能带及费米表面空间反演对称性的破坏。此项研究一方面会推动凝聚态物理和自旋电子学基础研究的发展，另一方面也可以为新型自旋电子材料和器件的开发提供思路。

中文关键词： 自旋轨道耦合；量子尺寸效应；Rashba效应；拓扑绝缘体；磁性掺杂

英文摘要：

英文关键词： Spin-orbit coupling；quantum size effect；Rashba effect；topological insulator ；magnetic doping