非晶态金属氧化物透明TFT的研究

项目名称： 非晶态金属氧化物透明TFT的研究

项目编号： No.51372016

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 张希清

作者单位： 北京交通大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 目前金属氧化物TFT已成国内外研究的热点并已取得了长足进步，但其关键问题迁移率还满足不了3D等显示器的要求，且稳定性也达不到实用化的需求。本项目拟从优选材料和研究器件结构等方面解决上述问题，即选用自身迁移率高的新型材料体系ITZLO等作沟道层，并与稳定性好的GZO作双沟道层，用HfO2和Al2O3等作绝缘层，研制迁移率高和稳定性好的TFT。用钝化工艺保护沟道层，减少环境中水、氧气和氢气的影响，提高TFT的稳定性。主要研究内容为：优化制备条件和退火条件，研究绝缘层和沟道层的形貌、结构、界面、光学性质和氧空位等缺陷密度，提高TFT的迁移率和稳定性；研究沟道层的载流子浓度和导电机制以及载流子输运等电学性能，研究绝缘层的绝缘性能及沟道层与绝缘层界面等缺陷，减少缺陷密度，降低漏电流，提高迁移率和稳定性；优选电极，改善欧姆接触和界面缺陷，提高器件稳定性；探索新型TFT结构和制备工艺，提高TFT的质量。

中文关键词： 薄膜晶体管；迁移率；金属氧化物半导体；磁控溅射；

英文摘要： The metal oxide transparent thin film transistors(TFTs) may be an ideal candidate to replace the a-Si TFT switching elements in the display area. To solve the problems low mobility and poor stability in metal oxide TFTs, the project is planned that highe

英文关键词： Thin film transistor；Mobility；Metal oxide semiconductor；Sputtering；