硅基掺铒二氧化钛薄膜异质结器件的电致发光

项目名称： 硅基掺铒二氧化钛薄膜异质结器件的电致发光

项目编号： No.51372219

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 马向阳

作者单位： 浙江大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 随着集成电路特征线宽的不断减小,金属（电）互连将成为集成电路工作速度进一步提升的限制因素,并将显著增加集成电路的功耗。因此，以光互连代替电互连是硅基集成电路进一步发展面临的关键问题，而硅基发光器件则是实现光互连的基本条件。但是，硅是间接禁带半导体，不能作为高效发光材料。因此，研究硅基发光材料与器件具有重要意义。申请人已经在国际上首先实现了硅基掺铒二氧化钛(TiO2:Er)薄膜异质结器件的电致发光。本项目在此基础上,重点研究如何增强Er电致发光, 探索抑制Er可见电致发光而增强1.54微米电致发光的方法。围绕上述目标，将通过在TiO2：Er薄膜中共掺其它不同类型(过渡金属和稀土)的杂质并结合适当的热处理，改善TiO2:Er薄膜中基体向Er离子的能量传递效率以及提高Er的激发截面，从而增强Er在光通讯波段1.54微米的电致发光。在此基础上，阐明硅基TiO2:Er薄膜异质结器件的电致发光机制。

中文关键词： 硅基发光；稀土掺杂；二氧化钛薄膜；电致发光；

英文摘要： With the ever-smaller feature size of integrated circuits (ICs), the electrical interconnection will become the limiting factor to increase the operation speed of ICs and will remarkably increase power consumption. In this context, the replacement of elec

英文关键词： silicon-based luminescence；rare-earth doping；TiO2 films；electroluminescence；