SiC基稀磁半导体的局域结构与自旋相关磁、输运特性

项目名称： SiC基稀磁半导体的局域结构与自旋相关磁、输运特性

项目编号： No.11174217

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学I

项目作者： 刘技文

作者单位： 天津理工大学

项目金额： 58万元

中文摘要： 稀磁半导体（DMS）兼有电荷和自旋两种特性, 在新一代的信息处理和存储、量子计算和通讯等方面具有重要的应用，成为自旋电子学领域的研究热点之一。本项目采用磁控溅射和脉冲激光沉积技术，制备3d过渡金属TM（TM=Mn、Co、Fe等）掺杂或与Al、N共掺杂的高质量SiC稀磁半导体薄膜。利用XRD、XPS、TEM、SQUID、PPMS测量SiC基稀磁半导体薄膜的微结构及磁、输运等性能，利用具有元素特征的同步辐射磁圆二色谱(XMCD)和X射线吸收精细结构谱(XAFS)等技术研究掺杂磁性离子的原子占位及分布情况、电子结构和电子自旋状态，阐明掺杂金属离子的局域结构和存在形式对系统的电子结构和磁相互作用的本质，本项目旨在探索DMS中自旋相关的磁、输运性质的物理机制方面做出创新性成果，也为新型器件的设计和制备打下材料基础。

中文关键词： 稀磁半导体；SiC薄膜；磁性能；输运性能；XAFS

英文摘要：

英文关键词： Diluted magnetic semiconductors；SiC and In2O3 films；Magnetic performance；Transport；XAFS