高性能输运非晶半导体氧化物沟道及TFTs性能研究

项目名称： 高性能输运非晶半导体氧化物沟道及TFTs性能研究

项目编号： No.61674155

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2016

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 曹鸿涛

作者单位： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

项目金额： 16万元

中文摘要： 跟非晶硅或低温多晶硅(LTPS) TFTs相比较，IGZO-TFTs制程跟现有主流工艺兼容，性能价格均衡。然而，开发不拘泥于IGZO、性能上接近LTPS 的新型n型氧化物及薄膜晶体管是非常具有挑战性的学术课题。基于此，本项目将通过有源层的材料创新手段，研发不含Zn元素的类IGZO新型非晶氧化物沟道材料InGaCdO，研制高场效应迁移率、高驱动电流特性的n型薄膜晶体管原型器件。明晰InGaCdO带隙变化趋势，阐明其电子有效质量跟高输运特性之间的关联关系，澄清载流子的输运机理，构筑类LTPS高性能输运特性的薄膜晶体管。本项目在新材料前瞻性研究和表征、分析方法的集成等方面体现了创新性。通过本项目的实施，有望为基础研究提供实验数据和理论依据，为我国显示行业的产业技术升级提供技术支撑，从而有助于推动氧化物半导体驱动电路的研发应用进程。

中文关键词： 薄膜晶体管；非晶氧化物沟道；场效应迁移率；溶液旋涂法；带隙

英文摘要： In comparison with the contemporary competing techniques such as amorphous silicon thin-film transistors (TFTs) or low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) TFTs, IGZO-TFTs, as one of the typical amorphous oxide semiconductor-based TFTs, possess good

英文关键词： Thin-film transistors；amorphous oxide channel；field-effect mobility；spin-coating method；band gap