常关型宽禁带氮化镓MOS场效应晶体管的研究

项目名称： 常关型宽禁带氮化镓MOS场效应晶体管的研究

项目编号： No.51177175

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 电气科学与工程学科

项目作者： 刘扬

作者单位： 中山大学

项目金额： 72万元

中文摘要： 第三代半导体材料GaN具有宽禁带、高击穿临界电场强度、高饱和电子漂移速度等特点，与传统Si材料相比，更加适合于制作高功率大容量、高开关速度电力电子器件，比传统Si材料更节能。但是与Si材料相比，GaN材料更加难于制成电力电子技术所必需的常关型开关晶体管，这是科技界与企业界公认的科技难点。本项目以研发具有自主知识产权的高性能GaN 基常关型场效应晶体管核心技术为目标，以期解决在器件制备过程中的关键技术问题。本项目在我们前期"利用选择区域生长法制作常关型AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管"的基础上，主要研究以下三个方面的内容，：(1)二次生长界面控制机理与技术的研究，以期获得高质量二次生长AlGaN异质结构；(2) 选择性生长掩膜材料对氮化物半导体的影响机理，以保证高质量栅沟道的形成；(3) 高性能绝缘材料的制备以及三族氮化物MOS界面控制机理与技术的研究，以期获得高质量栅介质层。

中文关键词： 氮化镓；常关型；阈值电压；MOS；异质结构场效应晶体管

英文摘要：

英文关键词： GaN；normally off；threshold voltage；MOS；HFET