新型NdAlO3/SiO2 高k栅堆栈结构的实现与性能评估

项目名称： 新型NdAlO3/SiO2 高k栅堆栈结构的实现与性能评估

项目编号： No.60976068

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 刘红侠

作者单位： 西安电子科技大学

项目金额： 38万元

中文摘要： 研究淀积工艺对新型NdAlO3/SiO2高k 栅堆栈结构特性的影响，通过设计多元结构、构建组分渐变界面、抑制缺陷在界面的生长和不同温度的退火实验，提出高k堆栈的最佳稳定条件。分析 NdAlO3/SiO2 堆栈的微结构，包括物相分析、晶体结构、残余应力、微缺陷和平整度分析。采用全新的快速脉冲I-V和C-V方法测量高k栅的电特性和退陷阱效应，包括电子陷阱的空间和能量分布，定量研究NdAlO3/SiO2堆栈结构的界面退化、失效物理和可靠性。用随机电报噪声RTS研究杂质和缺陷引起的深能级中心浓度、能级位置和俘获截面。建立通过RTS提取缺陷信息的方法，用微观物理量的变化表征薄栅电特性的退化，准确科学。分析新型堆栈中的应力诱生漏电SILC，研究NdAlO3/SiO2堆栈的瞬时击穿和时变击穿等可靠性特征,建立NdAlO3/SiO2堆栈的性能评估方法，为新型NdAlO3/SiO2堆栈结构的应用奠定基础。

中文关键词： 高k栅介质；NdAlO3/SiO2堆栈结构；失效物理；性能评估；可靠性

英文摘要：

英文关键词： High k dielectric；NdAlO3/SiO2 gate stack；Failure physics；Performance evaluation；reliability